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IRLU120PBF、RFD7N10LE、IRLU120NPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLU120PBF RFD7N10LE IRLU120NPBF

描述 MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK7A , 100V , 0.300 Ohm的N通道,逻辑电平功率MOSFET 7A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETsINFINEON  IRLU120NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 185 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Intersil (英特矽尔) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 TO-251-3 - TO-251-3

引脚数 - - 3

耗散功率 2.5W (Ta), 42W (Tc) - 48 W

漏源极电压(Vds) 100 V - 100 V

输入电容(Ciss) 490pF @25V(Vds) - 440pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) - 48W (Tc)

额定功率 - - 48 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.185 Ω

极性 - - N-Channel

阈值电压 - - 2 V

输入电容 - - 440 pF

漏源击穿电压 - - 100 V

连续漏极电流(Ids) - - 10A

上升时间 - - 35 ns

下降时间 - - 22 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-251-3 - TO-251-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 2.3 mm

高度 - - 6.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17