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IRLU120、IRLU120PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLU120 IRLU120PBF

描述 Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix

分类 MOS管

基础参数对比

封装 - TO-251-3

安装方式 - Through Hole

封装 - TO-251-3

产品生命周期 Active Active

耗散功率 - 2.5W (Ta), 42W (Tc)

漏源极电压(Vds) - 100 V

输入电容(Ciss) - 490pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free