额定电压DC 25.0 V
额定电流 50.0 A
输入电容 1.64 nF
栅电荷 13.0 nC
漏源极电压Vds 25.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
安装方式 Through Hole
封装 TO-251
封装 TO-251
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPS09N03LAG | Infineon 英飞凌 | OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPS09N03LAG 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-251 25V 50A 1.64nF | 当前型号 | OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor | 当前型号 | |
型号: IPS090N03LG 品牌: 英飞凌 封装: TO-251 N-Channel | 完全替代 | IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | IPS09N03LAG和IPS090N03LG的区别 | |
型号: IPS135N03LG 品牌: 英飞凌 封装: TO-251 N-Channel | 完全替代 | 的OptiMOS 3功率三极管特性的优化技术, DC / DC转换器 OptiMOS 3 Power-Transistor Features Optimized technology for DC/DC converters | IPS09N03LAG和IPS135N03LG的区别 | |
型号: IPS090N03LGAKMA1 品牌: 英飞凌 封装: TO-251 N-Channel 30V 40A | 功能相似 | TO-251 N-CH 30V 40A | IPS09N03LAG和IPS090N03LGAKMA1的区别 |