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IPS09N03LAG

Infineon 英飞凌 分立器件
IPS09N03LAG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 50.0 A

输入电容 1.64 nF

栅电荷 13.0 nC

漏源极电压Vds 25.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251

外形尺寸

封装 TO-251

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPS09N03LAG引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPS09N03LAG Infineon 英飞凌 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor 搜索库存
替代型号IPS09N03LAG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPS09N03LAG

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-251 25V 50A 1.64nF

当前型号

OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

当前型号

型号: IPS090N03LG

品牌: 英飞凌

封装: TO-251 N-Channel

完全替代

IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

IPS09N03LAG和IPS090N03LG的区别

型号: IPS135N03LG

品牌: 英飞凌

封装: TO-251 N-Channel

完全替代

的OptiMOS 3功率三极管特性的优化技术, DC / DC转换器 OptiMOS 3 Power-Transistor Features Optimized technology for DC/DC converters

IPS09N03LAG和IPS135N03LG的区别

型号: IPS090N03LGAKMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-251 N-Channel 30V 40A

功能相似

TO-251 N-CH 30V 40A

IPS09N03LAG和IPS090N03LGAKMA1的区别