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IPS090N03LGAKMA1、IPS09N03LAG、IPS135N03LGAKMA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPS090N03LGAKMA1 IPS09N03LAG IPS135N03LGAKMA1

描述 TO-251 N-CH 30V 40AOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-TransistorTO-251 N-CH 30V 30A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251 TO-251-3

引脚数 3 - -

额定电压(DC) - 25.0 V -

额定电流 - 50.0 A -

输入电容 - 1.64 nF -

栅电荷 - 13.0 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 25.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 40A 50.0 A 30A

额定功率 42 W - -

极性 N-Channel - N-CH

耗散功率 42 W - 31W (Tc)

上升时间 14 ns - -

输入电容(Ciss) 1600pF @15V(Vds) - 1000pF @15V(Vds)

下降时间 3 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 42W (Tc) - 31W (Tc)

封装 TO-251-3 TO-251 TO-251-3

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)