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IRF7319
Infineon 英飞凌 电子元器件分类

SOIC N+P 30V 6.5A/4.9A

Benefits:

.
RoHS Compliant
.
Low RDSon
.
Dynamic dv/dt Rating
.
Fast Switching
.
Dual N and P-Channel MOSFET

Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC


IRF7319中文资料参数规格
技术参数

极性 N+P

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.5A/4.9A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF7319引脚图与封装图
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IRF7319 Infineon 英飞凌 SOIC N+P 30V 6.5A/4.9A 搜索库存
替代型号IRF7319
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF7319

品牌: Infineon 英飞凌

封装:

当前型号

SOIC N+P 30V 6.5A/4.9A

当前型号

型号: IRF7319TRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N+P 30V 6.5A 4.9A

完全替代

INFINEON  IRF7319TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V

IRF7319和IRF7319TRPBF的区别

型号: IRF7389TRPBF

品牌: 英飞凌

封装: SOIC N+P 30V 7.3A 5.3A

类似代替

INFINEON  IRF7389TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7.3 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V

IRF7319和IRF7389TRPBF的区别

型号: IRF7389PBF

品牌: 英飞凌

封装: SOIC N-Channel 30V 7.3A 5.3A

类似代替

N/P 通道功率 MOSFET,InfineonInfineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备,以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项,设计人员可以选择双 N/P 通道配置。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

IRF7319和IRF7389PBF的区别