IRF7319、IRF7389TRPBF、IRF7319TRPBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRF7319 IRF7389TRPBF IRF7319TRPBF

描述 SOIC N+P 30V 6.5A/4.9AINFINEON  IRF7389TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7.3 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 VINFINEON  IRF7319TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 2.5 W 2 W

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.023 Ω 0.023 Ω

极性 N+P N+P N+P

耗散功率 - 2.5 W 2 W

阈值电压 - 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 6.5A/4.9A 7.3A/5.3A 6.5A/4.9A

输入电容(Ciss) - 650pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2500 mW 2 W

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17