IRF7319、IRF7389PBF、IRF7319TRPBF对比区别

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型号 IRF7319 IRF7389PBF IRF7319TRPBF

描述 SOIC N+P 30V 6.5A/4.9AN/P 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备，以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项，设计人员可以选择双 N/P 通道配置。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRF7319TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 2.5 W 2 W

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.023 Ω 0.023 Ω

极性 N+P N-Channel, P-Channel N+P

耗散功率 - 2.5 W 2 W

阈值电压 - 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 6.5A/4.9A 7.3A/5.3A 6.5A/4.9A

热阻 - 50℃/W (RθJA) -

输入电容(Ciss) - 650pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5 W 2 W

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17