IPB090N06N3G
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPB090N06N3G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 71.0 W
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 2900pF @30VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 71 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263
外形尺寸
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IPB090N06N3G引脚图与封装图
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在线购买IPB090N06N3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB090N06N3G | Infineon 英飞凌 | 60V,9mΩ,50A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号IPB090N06N3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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