IPB081N06L3GATMA1、IPB090N06N3G、FDB070AN06A0对比区别

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型号 IPB081N06L3GATMA1 IPB090N06N3G FDB070AN06A0

描述 INFINEON  IPB081N06L3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 6.7 mohm, 10 V, 1.7 V60V,9mΩ,50A,N沟道功率MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB070AN06A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263 TO-263 TO-263-3

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 80.0 A

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0067 Ω - 0.0061 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 79 W 71.0 W 175 W

阈值电压 1.7 V - 4 V

输入电容 - - 3.00 nF

栅电荷 - - 51.0 nC

漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V

漏源击穿电压 - - 60.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 50A - 80.0 A

上升时间 26 ns 40 ns 159 ns

输入电容(Ciss) 3700pF @30V(Vds) 2900pF @30V(Vds) 3000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 175 W

下降时间 7 ns 5 ns 35 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 79000 mW 71 W 175 W

额定功率 79 W - -

长度 10.31 mm 10.31 mm 10.67 mm

宽度 9.45 mm 9.45 mm 11.33 mm

高度 4.57 mm 4.57 mm 4.83 mm

封装 TO-263 TO-263 TO-263-3

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99