IPB090N06N3G、IPD50N06S3-09、IPB081N06L3GATMA1对比区别

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型号 IPB090N06N3G IPD50N06S3-09 IPB081N06L3GATMA1

描述 60V,9mΩ,50A,N沟道功率MOSFET的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorINFINEON  IPB081N06L3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 6.7 mohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-263 DPAK TO-263

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 71.0 W - 79 W

上升时间 40 ns - 26 ns

输入电容(Ciss) 2900pF @30V(Vds) - 3700pF @30V(Vds)

下降时间 5 ns - 7 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 71 W - 79000 mW

额定功率 - - 79 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.0067 Ω

阈值电压 - - 1.7 V

漏源极电压(Vds) - 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 50A 50A

长度 10.31 mm - 10.31 mm

宽度 9.45 mm - 9.45 mm

高度 4.57 mm - 4.57 mm

封装 TO-263 DPAK TO-263

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17