IPD105N03LG、IRLR8729TRPBF、IPB080N03LGATMA1对比区别

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型号 IPD105N03LG IRLR8729TRPBF IPB080N03LGATMA1

描述 30V,35A,N沟道功率MOSFET晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.8 VD2PAK N-CH 30V 50A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252 TO-252-3 TO-263-3

额定功率 - - 47 W

通道数 - - 1

漏源极电阻 - 0.006 Ω 0.0067 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 38.0 W 55 W 47 W

阈值电压 - 1.8 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 58A 50A

输入电容(Ciss) 1500pF @15V(Vds) 1350pF @15V(Vds) 1900pF @15V(Vds)

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) - 55W (Tc) 47W (Tc)

额定功率(Max) 38 W 55 W -

针脚数 - 3 -

上升时间 - 47 ns -

下降时间 - 10 ns -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 - - 10 mm

宽度 - - 9.25 mm

高度 - - 4.4 mm

封装 TO-252 TO-252-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17