
额定电压DC 55.0 V
额定电流 98.0 A
漏源极电阻 8.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
产品系列 IRFP064N
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 110 A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 4000pF @25VVds
下降时间 70 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
封装 TO-247
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IRFP064N | Infineon 英飞凌 | TO-247AC N-CH 55V 110A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IRFP064N 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-247 N-Channel 55V 110A 8mΩ | 当前型号 | TO-247AC N-CH 55V 110A | 当前型号 | |
型号: IRFP064NPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 55V 110A | 功能相似 | INFINEON IRFP064NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V | IRFP064N和IRFP064NPBF的区别 | |
型号: AUIRFP064N 品牌: 英飞凌 封装: TO-247AC N-Channel 55V 110A | 功能相似 | INFINEON AUIRFP064N 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V | IRFP064N和AUIRFP064N的区别 | |
型号: IRFP064 品牌: 英飞凌 封装: | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 110A ID, 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE PACKAGE-3 | IRFP064N和IRFP064的区别 |