AUIRFP064N、IRFP064N、IRFP064NPBF对比区别

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型号 AUIRFP064N IRFP064N IRFP064NPBF

描述 INFINEON  AUIRFP064N  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 VTO-247AC N-CH 55V 110AINFINEON  IRFP064NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247 TO-247-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.008 Ω 8.00 mΩ 0.008 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 200 W 200 W 150 W

阈值电压 2 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 110A 110 A 110A

上升时间 100 ns 100 ns 100 ns

输入电容(Ciss) 4000pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds)

下降时间 70 ns 70 ns 70 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200W (Tc) 200000 mW 200W (Tc)

额定功率 - - 150 W

输入电容 - - 4000pF @25V

漏源击穿电压 - 55.0 V 55 V

额定功率(Max) - - 200 W

额定电压(DC) - 55.0 V -

额定电流 - 98.0 A -

产品系列 - IRFP064N -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 15.87 mm - 15.9 mm

宽度 5.31 mm - 5.3 mm

高度 20.7 mm - 20.3 mm

封装 TO-247-3 TO-247 TO-247-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -