IRFP064N、IRFP064NPBF、AUIRFP064N对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRFP064N IRFP064NPBF AUIRFP064N

描述 TO-247AC N-CH 55V 110AINFINEON  IRFP064NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  AUIRFP064N  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 8.00 mΩ 0.008 Ω 0.008 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 200 W 150 W 200 W

阈值电压 - 4 V 2 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 110 A 110A 110A

上升时间 100 ns 100 ns 100 ns

输入电容(Ciss) 4000pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds)

下降时间 70 ns 70 ns 70 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 200W (Tc) 200W (Tc)

额定功率 - 150 W -

输入电容 - 4000pF @25V -

漏源击穿电压 55.0 V 55 V -

额定功率(Max) - 200 W -

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 98.0 A - -

产品系列 IRFP064N - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 - 15.9 mm 15.87 mm

宽度 - 5.3 mm 5.31 mm

高度 - 20.3 mm 20.7 mm

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99