IXTT100N25P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTT100N25P中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 600 W
漏源极电压Vds 250 V
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 6300pF @25VVds
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTT100N25P引脚图与封装图
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在线购买IXTT100N25P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTT100N25P | IXYS Semiconductor | IXTT 系列 单通道 N 沟道 250 V 27 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-268 | 搜索库存 |
替代型号IXTT100N25P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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