IXTQ100N25P、IXTT100N25P、IXFH100N25P对比区别

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型号 IXTQ100N25P IXTT100N25P IXFH100N25P

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXTQ100N25P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 100 A, 250 V, 27 mohm, 10 V, 5 VIXTT 系列 单通道 N 沟道 250 V 27 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-268N沟道 250V 100A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-3-3 TO-268-3 TO-247-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.027 Ω - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 600 W 600 W 600W (Tc)

阈值电压 5 V - -

输入电容 6300 pF - -

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 100 A - -

上升时间 26 ns 26 ns 26 ns

输入电容(Ciss) 6300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 600 W - -

下降时间 28 ns 28 ns 28 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 600W (Tc)

封装 TO-3-3 TO-268-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -