IXFH18N60P、IXTQ18N60P、IXFV18N60PS对比区别
型号 IXFH18N60P IXTQ18N60P IXFV18N60PS
描述 TO-247AD N-CH 600V 18ATrans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin(3+Tab) TO-3PTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMD
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-3-3 PLUS-220SMD
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 18.0 A 18.0 A 18.0 A
漏源极电阻 400 mΩ - 400 mΩ
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 360 W 360W (Tc) 360W (Tc)
输入电容 2.50 nF 2.50 nF 2.50 nF
栅电荷 50.0 nC 49.0 nC 50.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - 600 V
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 18.0 A 18.0 A
输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)
上升时间 22 ns 22 ns -
额定功率(Max) 360 W - -
下降时间 22 ns 22 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
封装 TO-247-3 TO-3-3 PLUS-220SMD
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free