IXTP180N10T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTP180N10T中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 6.4 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 480 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 180 A
上升时间 54 ns
输入电容Ciss 6900pF @25VVds
额定功率Max 480 W
下降时间 31 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 480W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTP180N10T引脚图与封装图
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在线购买IXTP180N10T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTP180N10T | IXYS Semiconductor | N沟道 100V 180A | 搜索库存 |
替代型号IXTP180N10T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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