IXTH180N10T、IXTP180N10T、IXTQ180N10T对比区别

高亮显示差异参数

型号 IXTH180N10T IXTP180N10T IXTQ180N10T

描述 N沟道 100V 180AN沟道 100V 180ATrans MOSFET N-CH 100V 180A 3Pin(3+Tab) TO-3P

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-3-3

引脚数 - 3 -

通道数 1 1 -

漏源极电阻 6.4 mΩ 6.4 mΩ -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 480 W 480 W 480W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 180A 180 A -

上升时间 54 ns 54 ns -

输入电容(Ciss) 6900pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 480 W 480 W -

下降时间 31 ns 31 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 480W (Tc) 480W (Tc) 480W (Tc)

长度 16.26 mm 10.66 mm -

宽度 5.3 mm 4.83 mm -

高度 21.46 mm 9.15 mm -

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free