通道数 1
漏源极电阻 2.6 Ω
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 1200 V
漏源击穿电压 1200 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 1950pF @25VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXFH6N120 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 N-CH 1200V 6A | 当前型号 | TO-247AD N-CH 1200V 6A | 当前型号 | |
型号: IXTH6N120 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 | 类似代替 | N沟道 1.2kV 6A | IXFH6N120和IXTH6N120的区别 | |
型号: IXTT6N120 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-268-2 N-CH 1200V 6A | 功能相似 | TO-268 N-CH 1200V 6A | IXFH6N120和IXTT6N120的区别 |