IXFH6N120、IXTT6N120、IXTH6N120对比区别
型号 IXFH6N120 IXTT6N120 IXTH6N120
描述 TO-247AD N-CH 1200V 6ATO-268 N-CH 1200V 6AN沟道 1.2kV 6A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3
通道数 1 1 1
耗散功率 300 W 300 W 300 W
漏源极电压(Vds) 1200 V 1200 V 1200 V
上升时间 33 ns 33 ns 33 ns
输入电容(Ciss) 1950pF @25V(Vds) 1950pF @25V(Vds) 1950pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W 300 W
下降时间 18 ns 18 ns 18 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
漏源极电阻 2.6 Ω 2.6 Ω -
极性 N-CH N-CH -
漏源击穿电压 1200 V 1200 V -
连续漏极电流(Ids) 6A 6A -
阈值电压 - 5 V -
宽度 5.3 mm 16.05 mm 5.3 mm
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3
长度 16.26 mm 14 mm -
高度 21.46 mm 5.1 mm -
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free