IXFH6N120、IXTH6N120、IXTT6N120对比区别

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型号 IXFH6N120 IXTH6N120 IXTT6N120

描述 TO-247AD N-CH 1200V 6AN沟道 1.2kV 6ATO-268 N-CH 1200V 6A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-268-3

引脚数 - 3 3

通道数 1 1 1

漏源极电阻 2.6 Ω - 2.6 Ω

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 300 W 300 W 300 W

漏源极电压(Vds) 1200 V 1200 V 1200 V

漏源击穿电压 1200 V - 1200 V

连续漏极电流(Ids) 6A - 6A

上升时间 33 ns 33 ns 33 ns

输入电容(Ciss) 1950pF @25V(Vds) 1950pF @25V(Vds) 1950pF @25V(Vds)

下降时间 18 ns 18 ns 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

阈值电压 - - 5 V

额定功率(Max) - 300 W 300 W

长度 16.26 mm - 14 mm

宽度 5.3 mm 5.3 mm 16.05 mm

高度 21.46 mm - 5.1 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-268-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free