IXTT140N10P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTT140N10P中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 600 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 140A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 4700pF @25VVds
额定功率Max 600 W
下降时间 26 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTT140N10P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTT140N10P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTT140N10P | IXYS Semiconductor | IXTT 系列 单通道 N 沟道 100 V 11 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-268 | 搜索库存 |
替代型号IXTT140N10P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTT140N10P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 N-CH 100V 140A | 当前型号 | IXTT 系列 单通道 N 沟道 100 V 11 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-268 | 当前型号 |
| 型号： IXFH140N10P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 完全替代 | N沟道 100V 140A | IXTT140N10P和IXFH140N10P的区别 |
| 型号： IXFT140N10P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268 N-Channel 140A | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFT140N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 140 A, 100 V, 11 mohm, 15 V, 5 V | IXTT140N10P和IXFT140N10P的区别 |
| 型号： IXTQ140N10P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 N-CH 100V 140A | 功能相似 | IXTQ 系列 单 N 沟道 100 V 11 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-3P | IXTT140N10P和IXTQ140N10P的区别 |