IXFH140N10P、IXTT140N10P、IXFT140N10P对比区别
型号 IXFH140N10P IXTT140N10P IXFT140N10P
描述 N沟道 100V 140AIXTT 系列 单通道 N 沟道 100 V 11 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-268IXYS SEMICONDUCTOR IXFT140N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 140 A, 100 V, 11 mohm, 15 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-268-2
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 600 W 600 W 600 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) - 140A 140 A
上升时间 50 ns 50 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 4700pF @25V(Vds) 4700pF @25V(Vds) 4700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 600 W 600 W -
下降时间 26 ns 26 ns 26 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 600W (Tc)
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 11 mΩ
阈值电压 - - 5 V
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-268-2
宽度 5.3 mm - 14 mm
长度 16.26 mm - -
高度 21.46 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC