IXFT140N10P、IXTT140N10P、IXTQ140N10P对比区别

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型号 IXFT140N10P IXTT140N10P IXTQ140N10P

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFT140N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 140 A, 100 V, 11 mohm, 15 V, 5 VIXTT 系列 单通道 N 沟道 100 V 11 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-268IXTQ 系列 单 N 沟道 100 V 11 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-3P

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-268-2 TO-268-3 TO-3-3

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 600 W 600 W 600W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 140 A 140A 140A

上升时间 50 ns 50 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 4700pF @25V(Vds) 4700pF @25V(Vds) 4700pF @25V(Vds)

下降时间 26 ns 26 ns 26 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 600W (Tc)

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 11 mΩ - -

阈值电压 5 V - -

额定功率(Max) - 600 W -

封装 TO-268-2 TO-268-3 TO-3-3

宽度 14 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -