IXFR64N60P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFR64N60P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 64.0 A
漏源极电阻 105 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 320 W
输入电容 1.15 nF
栅电荷 200 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 36.0 A
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 12000pF @25VVds
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 320W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFR64N60P引脚图与封装图
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在线购买IXFR64N60P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFR64N60P | IXYS Semiconductor | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列 IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | 搜索库存 |
替代型号IXFR64N60P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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