IXFL70N60Q2、IXFR64N60P对比区别

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型号 IXFL70N60Q2 IXFR64N60P

描述 ISOPLUS N-CH 600V 37AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-264-3 TO-247-3

额定电压(DC) - 600 V

额定电流 - 64.0 A

漏源极电阻 92 mΩ 105 mΩ

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 360 W 320 W

输入电容 - 1.15 nF

栅电荷 - 200 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 37A 36.0 A

上升时间 25 ns 23 ns

输入电容(Ciss) 12000pF @25V(Vds) 12000pF @25V(Vds)

下降时间 12 ns 24 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360W (Tc) 320W (Tc)

通道数 1 -

长度 20.29 mm 16.13 mm

宽度 5.21 mm 5.21 mm

高度 26.42 mm 21.34 mm

封装 TO-264-3 TO-247-3

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free