IXFR64N60P、STW34NM60N、IXFL70N60Q2对比区别

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型号 IXFR64N60P STW34NM60N IXFL70N60Q2

描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备STMICROELECTRONICS  STW34NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 VISOPLUS N-CH 600V 37A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 105 mΩ 0.092 Ω 92 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 320 W 210 W 360 W

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 36.0 A 29A 37A

上升时间 23 ns 34 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 12000pF @25V(Vds) 2722pF @100V(Vds) 12000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 210 W -

下降时间 24 ns 70 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 320W (Tc) 250W (Tc) 360W (Tc)

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 64.0 A - -

输入电容 1.15 nF - -

栅电荷 200 nC - -

漏源击穿电压 600 V - 600 V

通道数 - - 1

长度 16.13 mm 15.75 mm 20.29 mm

宽度 5.21 mm 5.15 mm 5.21 mm

高度 21.34 mm 20.15 mm 26.42 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -