IXFT30N60Q
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFT30N60Q中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500W Tc
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 4700pF @25VVds
耗散功率Max 500W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFT30N60Q引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFT30N60Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFT30N60Q | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3Pin2+Tab TO-268 | 搜索库存 |
替代型号IXFT30N60Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFT30N60Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3Pin2+Tab TO-268 | 当前型号 |
| 型号： IXFT30N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268 N-Channel 600V 30A 240mΩ 4nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3Pin2+Tab TO-268 | IXFT30N60Q和IXFT30N60P的区别 |
| 型号： IXTT30N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268 600V 30A 5.05nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3Pin2+Tab TO-268 | IXFT30N60Q和IXTT30N60P的区别 |
| 型号： IXFH30N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 600V 30A 240mΩ 4nF | 功能相似 | N沟道 600V 30A | IXFT30N60Q和IXFH30N60P的区别 |