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IXFT30N60P、IXFT30N60Q、IXTV30N60P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFT30N60P IXFT30N60Q IXTV30N60P

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3Pin(2+Tab) TO-268Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3Pin(2+Tab) TO-268Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-247-3

引脚数 3 - -

耗散功率 500 W 500W (Tc) 540 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

输入电容(Ciss) 4000pF @25V(Vds) 4700pF @25V(Vds) 5050pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 500W (Tc) 500W (Tc) 540W (Tc)

额定电压(DC) 600 V - 600 V

额定电流 30.0 A - 30.0 A

通道数 1 - 1

漏源极电阻 240 mΩ - 240 mΩ

极性 N-Channel - -

输入电容 4.00 nF - 5.05 nF

栅电荷 82.0 nC - 82.0 nC

漏源击穿电压 600 V - 600 V

连续漏极电流(Ids) 30.0 A - 30.0 A

上升时间 20 ns - 20 ns

下降时间 25 ns - 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - 55 ℃

封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-247-3

长度 16.05 mm - 11 mm

宽度 14 mm - 4.7 mm

高度 5.1 mm - 15 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free