IXTH6N120
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH6N120中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 1200 V
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 1950pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
宽度 5.3 mm
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTH6N120引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IXTH6N120
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTH6N120 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 当前型号 | N沟道 1.2kV 6A | 当前型号 |
| 型号： IXTT6N120 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 N-CH 1200V 6A | 完全替代 | TO-268 N-CH 1200V 6A | IXTH6N120和IXTT6N120的区别 |
| 型号： IXFH6N120 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 1200V 6A | 类似代替 | TO-247AD N-CH 1200V 6A | IXTH6N120和IXFH6N120的区别 |