IXTU12N06T
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 33W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 12A
输入电容Ciss 256pF @25VVds
耗散功率Max 33W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTU12N06T | IXYS Semiconductor | TO-251 N-CH 60V 12A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXTU12N06T 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-251 N-CH 60V 12A | 当前型号 | TO-251 N-CH 60V 12A | 当前型号 | |
型号: IXTY12N06T 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-252-3 N-CH 60V 12A | 类似代替 | DPAK N-CH 60V 12A | IXTU12N06T和IXTY12N06T的区别 | |
型号: STD12NE06-1 品牌: 意法半导体 封装: | 功能相似 | TO-251 N-CH 60V 12A | IXTU12N06T和STD12NE06-1的区别 |