IXTU12N06T、STD12NE06-1、IXTY12N06T对比区别

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型号 IXTU12N06T STD12NE06-1 IXTY12N06T

描述 TO-251 N-CH 60V 12ATO-251 N-CH 60V 12ADPAK N-CH 60V 12A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-251-3 TO-251 TO-252-3

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 12A 12A 12A

耗散功率 33W (Tc) - 33W (Tc)

输入电容(Ciss) 256pF @25V(Vds) - 256pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 33W (Tc) - 33W (Tc)

封装 TO-251-3 TO-251 TO-252-3

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tube - Tube

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free