IXTQ18N60P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTQ18N60P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 18.0 A
耗散功率 360W Tc
输入电容 2.50 nF
栅电荷 49.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 2500pF @25VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTQ18N60P引脚图与封装图
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在线购买IXTQ18N60P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTQ18N60P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin3+Tab TO-3P | 搜索库存 |
替代型号IXTQ18N60P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTQ18N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 600V 18A 2.5nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin3+Tab TO-3P | 当前型号 |
| 型号： IXTV18N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： 600V 18A 2.5nF | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin3+Tab PLUS 220 | IXTQ18N60P和IXTV18N60P的区别 |
| 型号： IXTV18N60PS 品牌： IXYS Semiconductor 封装： 600V 18A 2.5nF | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 600V 18A | IXTQ18N60P和IXTV18N60PS的区别 |
| 型号： IXFH18N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 600V 18A 400mΩ 2.5nF | 类似代替 | TO-247AD N-CH 600V 18A | IXTQ18N60P和IXFH18N60P的区别 |