IXTQ18N60P、IXTV18N60PS、IXFV18N60PS对比区别

高亮显示差异参数

型号 IXTQ18N60P IXTV18N60PS IXFV18N60PS

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin(3+Tab) TO-3PTrans MOSFET N-CH 600V 18ATrans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMD

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-3-3 PLUS-220SMD PLUS-220SMD

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 18.0 A 18.0 A 18.0 A

耗散功率 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)

输入电容 2.50 nF 2.50 nF 2.50 nF

栅电荷 49.0 nC 49.0 nC 50.0 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 18.0 A 18.0 A

上升时间 22 ns - -

输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)

下降时间 22 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)

漏源极电阻 - - 400 mΩ

极性 - - N-Channel

漏源击穿电压 - - 600 V

封装 TO-3-3 PLUS-220SMD PLUS-220SMD

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free