IXTH24N50L
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH24N50L中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 400 W
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 85 ns
输入电容Ciss 2500pF @25VVds
额定功率Max 400 W
下降时间 75 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
IXTH24N50L引脚图与封装图
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在线购买IXTH24N50L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTH24N50L | IXYS Semiconductor | N沟道 500V 24A | 搜索库存 |
替代型号IXTH24N50L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTH24N50L 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 当前型号 | N沟道 500V 24A | 当前型号 |
| 型号： IXTH24N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 500V 24A | 类似代替 | IXYS SEMICONDUCTOR IXTH24N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 4 V | IXTH24N50L和IXTH24N50的区别 |
| 型号： IXTH24N50Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3Pin3+Tab TO-247AD | IXTH24N50L和IXTH24N50Q的区别 |