锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IXTH24N50L、IXTH24N50Q、APT24F50B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTH24N50L IXTH24N50Q APT24F50B

描述 N沟道 500V 24ATrans MOSFET N-CH 500V 24A 3Pin(3+Tab) TO-247ADN沟道FREDFET N-Channel FREDFET

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) - - 500 V

额定电流 - - 24.0 A

极性 - - N-CH

耗散功率 400 W 360 W 335 W

漏源极电压(Vds) 500 V - 500 V

连续漏极电流(Ids) - - 24.0 A

上升时间 85 ns 20 ns 19 ns

输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) - 3630pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 400 W - 335 W

下降时间 75 ns 11 ns 14 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400W (Tc) - 335W (Tc)

高度 - 21.46 mm 21.46 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 16.26 mm -

宽度 - 5.3 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

香港进出口证 NLR - -