IXTH24N50、IXTH24N50L、STW26NM50对比区别

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型号 IXTH24N50 IXTH24N50L STW26NM50

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXTH24N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 4 VN沟道 500V 24ASTMICROELECTRONICS  STW26NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 500 V - 500 V

额定电流 24.0 A - 30.0 A

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.23 Ω - 0.12 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 300 W 400 W 313 W

阈值电压 4 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 24.0 A - 30.0 A

上升时间 33 ns 85 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 400 W 313 W

下降时间 30 ns 75 ns 19 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 400W (Tc) 313W (Tc)

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2014/06/16

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - NLR -