IXFT16N120P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFT16N120P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 950 mΩ
耗散功率 660 W
阈值电压 6.5 V
漏源极电压Vds 1200 V
漏源击穿电压 1200 V
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 6900pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 660W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
外形尺寸
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFT16N120P引脚图与封装图
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在线购买IXFT16N120P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFT16N120P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1.2kV 16A 3Pin2+Tab TO-268 | 搜索库存 |
替代型号IXFT16N120P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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