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IXFH16N120P、IXFT16N120P、IXTK17N120L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH16N120P IXFT16N120P IXTK17N120L

描述 N沟道 1.2kV 16ATrans MOSFET N-CH 1.2kV 16A 3Pin(2+Tab) TO-268N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear seriesN-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-264-3

通道数 1 1 1

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 660W (Tc) 660 W 700 W

漏源极电压(Vds) 1200 V 1200 V 1200 V

连续漏极电流(Ids) 16A - 17A

上升时间 28 ns 28 ns 39 ns

输入电容(Ciss) 6900pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds) 8300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 660 W - 700 W

下降时间 35 ns 35 ns 63 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 660W (Tc) 660W (Tc) 700000 mW

漏源极电阻 - 950 mΩ 990 mΩ

阈值电压 - 6.5 V 5 V

漏源击穿电压 - 1200 V 1200 V

宽度 5.3 mm 14 mm 5.13 mm

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-264-3

长度 - 16.05 mm 19.96 mm

高度 - 5.1 mm 26.16 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free