IXFQ50N60P3
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFQ50N60P3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1040 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 6300pF @25VVds
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1040W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
高度 20.3 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFQ50N60P3引脚图与封装图 
IXFQ50N60P3封装焊盘图
在线购买IXFQ50N60P3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
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替代型号IXFQ50N60P3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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