制造商型号： | IXFQ50N60P3 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V 50A TO3P |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFQ50N60P3
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IXFQ50N60P3 中文资料
数据手册PDF
IXFQ50N60P3 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 145 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 94 nC
耗散功率 1.04 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
正向跨导（Min） 55 S, 32 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
IXFQ50N60P3 引脚图与封装图
IXFQ50N60P3封装焊盘图
库存： 6
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 114.955951 | 114.96 |
| 10 | 103.854812 | 1038.55 |
| 100 | 85.978036 | 8597.80 |
| 500 | 74.868107 | 37434.05 |
| 1000 | 65.866379 | 65866.38 |
品牌其他型号
IXFQ50N60P3品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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