IXFK48N60P、IXFQ50N60P3、IXFH50N60P3对比区别
型号 IXFK48N60P IXFQ50N60P3 IXFH50N60P3
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFK48N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 48 A, 600 V, 135 mohm, 10 V, 5 VN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备IXYS SEMICONDUCTOR IXFH50N60P3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 50 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-264-3 TO-3-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 48.0 A - -
通道数 1 - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.135 Ω - 0.16 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 830 W 1040 W 1.04 W
阈值电压 5 V - 5 V
输入电容 8.86 nF - -
栅电荷 150 nC - -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - -
连续漏极电流(Ids) 48.0 A 50A 50A
上升时间 25 ns 20 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 8860pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 830 W - -
下降时间 22 ns 17 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 830W (Tc) 1040W (Tc) 1040W (Tc)
长度 19.96 mm 15.8 mm 16.26 mm
宽度 5.13 mm 4.9 mm 5.3 mm
高度 26.16 mm 20.3 mm 21.46 mm
封装 TO-264-3 TO-3-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15