IXTK160N20
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTK160N20中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 13 mΩ
耗散功率 730 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 12900pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 730W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
高度 26.16 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTK160N20引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTK160N20
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTK160N20 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 160A 3Pin3+Tab TO-264AA | 搜索库存 |
替代型号IXTK160N20
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTK160N20 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 160A 3Pin3+Tab TO-264AA | 当前型号 |
| 型号： IXFK170N20P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 N-CH 200V 170A | 类似代替 | TO-264 N-CH 200V 170A | IXTK160N20和IXFK170N20P的区别 |
| 型号： IXFX170N20P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 200V 170A | 功能相似 | PLUS N-CH 200V 170A | IXTK160N20和IXFX170N20P的区别 |