IXFX170N20P、IXTK160N20、IXFK170N20P对比区别
型号 IXFX170N20P IXTK160N20 IXFK170N20P
描述 PLUS N-CH 200V 170ATrans MOSFET N-CH 200V 160A 3Pin(3+Tab) TO-264AATO-264 N-CH 200V 170A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - -
封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-264-3
极性 N-CH - N-CH
耗散功率 1250 W 730 W 1.25 kW
阈值电压 5 V - 5 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 170A - 170A
上升时间 25 ns 38 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 11400pF @25V(Vds) 12900pF @25V(Vds) 11400pF @25V(Vds)
下降时间 14 ns 30 ns 14 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 1250W (Tc) 730W (Tc) 1250W (Tc)
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 13 mΩ 14 mΩ
漏源击穿电压 - 200 V 200 V
宽度 5.21 mm 5.13 mm 5.31 mm
封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-264-3
长度 - 19.96 mm 20.29 mm
高度 - 26.16 mm 26.59 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free