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IXFK170N20P、IXTK160N20、IXFX170N20P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK170N20P IXTK160N20 IXFX170N20P

描述 TO-264 N-CH 200V 170ATrans MOSFET N-CH 200V 160A 3Pin(3+Tab) TO-264AAPLUS N-CH 200V 170A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3

引脚数 - - 3

通道数 1 1 -

漏源极电阻 14 mΩ 13 mΩ -

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 1.25 kW 730 W 1250 W

阈值电压 5 V - 5 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 170A - 170A

上升时间 25 ns 38 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 11400pF @25V(Vds) 12900pF @25V(Vds) 11400pF @25V(Vds)

下降时间 14 ns 30 ns 14 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1250W (Tc) 730W (Tc) 1250W (Tc)

长度 20.29 mm 19.96 mm -

宽度 5.31 mm 5.13 mm 5.21 mm

高度 26.59 mm 26.16 mm -

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free