
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 5.00 A
额定功率 180 W
极性 N-CH
耗散功率 180 W
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 5A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 2600pF @25VVds
额定功率Max 180 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 180W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTH5N100A | IXYS Semiconductor | TO-247AD N-CH 1000V 5A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXTH5N100A 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 N-CH 1000V 5A | 当前型号 | TO-247AD N-CH 1000V 5A | 当前型号 | |
型号: STW11NK100Z 品牌: 意法半导体 封装: TO-247 N-Channel 1kV 8.3A 1.38Ω | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW11NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 V | IXTH5N100A和STW11NK100Z的区别 | |
型号: APT7F100B 品牌: 美高森美 封装: TO-247 N-CH 1kV 7.3A | 功能相似 | N沟道FREDFET N-Channel FREDFET | IXTH5N100A和APT7F100B的区别 | |
型号: FQU2N60C 品牌: 飞兆/仙童 封装: | 功能相似 | 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET | IXTH5N100A和FQU2N60C的区别 |