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IXTH5N100A

IXTH5N100A

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

TO-247AD N-CH 1000V 5A

This power MOSFET from Ixys Corporation can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 180000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 5A TO247


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 5A 3-Pin3+Tab TO-247AD


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 180W; TO247AD


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 5A 3-Pin3+Tab TO-247AD


IXTH5N100A中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.00 kV

额定电流 5.00 A

额定功率 180 W

极性 N-CH

耗散功率 180 W

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 5A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 2600pF @25VVds

额定功率Max 180 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 180W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IXTH5N100A引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IXTH5N100A IXYS Semiconductor TO-247AD N-CH 1000V 5A 搜索库存
替代型号IXTH5N100A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXTH5N100A

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3 N-CH 1000V 5A

当前型号

TO-247AD N-CH 1000V 5A

当前型号

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