FQU2N60C、IXTH5N100A、SPW20N60S5对比区别

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型号 FQU2N60C IXTH5N100A SPW20N60S5

描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETTO-247AD N-CH 1000V 5AINFINEON  SPW20N60S5.  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-251-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) - 1.00 kV 650 V

额定电流 - 5.00 A 20.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.19 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 - 180 W 208 W

阈值电压 - - 4.5 V

输入电容 - - 3.00 nF

栅电荷 - - 103 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 1000 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 1.9A 5A 20.0 A

上升时间 - 20 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 235pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 180 W 208 W

下降时间 - 30 ns 30 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) - - 150 ℃

耗散功率(Max) - 180W (Tc) 208 W

额定功率 - 180 W -

长度 - - 15.9 mm

宽度 - - 5.3 mm

高度 - - 20.95 mm

封装 TO-251-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Design

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99