IXTX200N10L2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTX200N10L2中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1.04 kW
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 200A
上升时间 225 ns
输入电容Ciss 23000pF @25VVds
额定功率Max 1040 W
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1040W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTX200N10L2引脚图与封装图
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在线购买IXTX200N10L2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTX200N10L2 | IXYS Semiconductor | ISOPLUS N-CH 100V 200A | 搜索库存 |
替代型号IXTX200N10L2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTX200N10L2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 100V 200A | 当前型号 | ISOPLUS N-CH 100V 200A | 当前型号 |
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| 型号： IXTK200N10L2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 N-CH 100V 200A | 功能相似 | IXTK 系列 单 N 沟道 100 V 11 mOhm 1040 W 功率 Mosfet - TO-264 | IXTX200N10L2和IXTK200N10L2的区别 |