IXTK200N10L2、IXTX200N10L2、IXTK180N15P对比区别

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型号 IXTK200N10L2 IXTX200N10L2 IXTK180N15P

描述 IXTK 系列 单 N 沟道 100 V 11 mOhm 1040 W 功率 Mosfet - TO-264ISOPLUS N-CH 100V 200AIXYS SEMICONDUCTOR  IXTK180N15P  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 150 V, 10 mohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-264-3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 1040 W 1.04 kW 800 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 200A 200A 180 A

上升时间 225 ns 225 ns 32 ns

输入电容(Ciss) 23000pF @25V(Vds) 23000pF @25V(Vds) 7000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1040 W 1040 W 800 W

下降时间 27 ns 27 ns 36 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1040W (Tc) 1040W (Tc) 800W (Tc)

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 10 mΩ

阈值电压 - - 5 V

反向恢复时间 - - 150 ns

长度 - 16.13 mm -

宽度 - 5.21 mm -

高度 - 21.34 mm -

封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-264-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/06/16